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飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

簡(jiǎn)要描述:TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用,包括聚合物,藥物,超導體,半導體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測限低于1ppm。

  • 產(chǎn)品型號:TOF-qSIMS
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2023-11-22
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:9298
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Hiden TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用,包括聚合物,藥物,超導體,半導體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測限低于1ppm。


TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,高入射電流,濺射和分析連續進(jìn)行,是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜,質(zhì)量數范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測量速度快(瞬間得到全譜)。離子槍僅需要一次脈沖濺射,即可得到全譜,對表面幾乎無(wú)破壞作用。因脈沖模式分析,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少,靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱,但成像和表面分析能力強,是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。


TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn),可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料;對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結構/鍍膜成分、表面異物殘留(污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。


一臺SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜:

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動(dòng)態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源,二次中性粒子譜

二次離子質(zhì)譜成像軟件,靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,二次離子質(zhì)譜后處理軟件

 

技術(shù)參數:
質(zhì)量數范圍:300,510或1000amu
分辨率:5%的谷,兩個(gè)相連的等高峰。
檢測器:離子計數檢測器,正、負離子檢測
檢測限:1:10E7
質(zhì)量過(guò)濾器:三級過(guò)濾四極桿(9mm桿)
主離子槍?zhuān)?A,氧離子或其它氣體,能量到5KeV
          B,Ga離子槍?zhuān)芰?5KeV(選配)
空間分辨率:A:100~150um
           B: 50nm
取樣深度:2個(gè)單分子層(靜態(tài))
         不受限制(動(dòng)態(tài))


主要特點(diǎn):
1、高靈敏度脈沖離子計數檢測器,7個(gè)數量級的動(dòng)態(tài)范圍
2、SIMS 成像,分辨率在微米以下
3、光柵控制,增強深度分析能力
4、所有能量范圍內,離子行程的最小擾動(dòng),及恒定離子傳輸
5、差式泵3級過(guò)濾四極桿,質(zhì)量數范圍至1000amu
6、靈敏度高 / 穩定的脈沖離子計數檢測器
7、Penning規和互鎖裝置可提供過(guò)壓保護
8、通過(guò)RS232、RS485或Ethernet LAN,軟件 MASsoft控制

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